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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.5
- 수록면
- 390 - 395 (6page)
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High power dissipation in the small package Gallium Nitride (GaN) transistor calls for challenge in thermal design. This paper compares the impact of different gap filler materials in the GaN transistor power dissipation. Simulation and experimental results are given to reveal the maximum power dissipated in each setup, which validates the critical impact of gap filler material in thermal design. The developed test procedure and thermal model are elaborated, which can be easily applied to the estimation of thermal management in other GaN transistor applications.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. ILLUSTRATION OF THE GAP FILLER TEST
III. EXPERIMENTAL RESULTS
IV. CONCLUSION
REFERENCES
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