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학술저널
저자정보
정대한 (충북대학교) 구자윤 (충북대학교) 왕동현 (충북대학교) 손영서 (충북대학교 전자공학부) 박준영 (충북대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제35권 제3호
발행연도
2022.5
수록면
264 - 268 (5page)

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High pressure deuterium (HPD) annealing is an advancing technology for the fabrication of modern semiconductor devices. In this work, gate-enclosed FETs are fabricated on a silicon substrate as test vehicles. After a cycle for the HPD annealing, the device parameters such as threshold voltage (VTH), subthreshold swing (SS), on-state current (ION), off-state current (IOFF), and gate leakage (IG) were measured and compared depending on the HPD. The HPD annealing can passivate the dangling bonds at Si-SiO2 interfaces as well as eliminate the bulk trap in SiO2. It can be concluded that adding the HPD annealing as a fabrication process is very effective in improving device reliability, performance, and variability.
#Annealing #Fabrication processing #Gate-enclosed MOSFETs #High pressure deuterium annealing #Reliability

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