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학술저널
저자정보
정대한 (충북대학교) 윤성수 (충북대학교 전자공학부) 구자윤 (충북대학교) 왕동현 (충북대학교) 이광선 (충북대학교) 박준영 (충북대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제24권 제1호
발행연도
2023.2
수록면
1 - 4 (4page)
DOI
https://doi.org/10.1007/s42341-022-00422-8

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Higher device reliability and lower device-to-device variability are needed to improve the density and yield of integrated circuits. A high pressure deuterium annealing (HPDA) process is proposed for this purpose. Gate-enclosed n-MOSFETs were fabricated on silicon substrate as test vehicles. Then, secondary ion mass spectrometry was performed to verify deuterium absorption. After that, device parameters such as gate leakage, threshold voltage, and subthreshold swing were measured, and the values before and after the HPDA process were compared. The results confi rmed device reliability as well as deviceto-device variability were improved by the proposed HPDA process.
#Annealing #Gate dielectric #High-pressure deuterium annealing #Reliability #Variability

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