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이태섭 (광운대학교) 안재인 (광운대학교 전자재료공학과) 김소망 (광운대학교) 박성준 (광운대학교) 조슬기 (광운대학교 전자재료공학과) 주기남 (한국원자력연구원) 조만순 (한국원자력연구원) 구상모 (광운대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제31권 제4호
발행연도
2018.5
수록면
198 - 202 (5page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.4.198

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In this work, we have investigated the effect of a 30-min thermal anneal at 550℃ on the electrical characteristicsof neutron-irradiated 4H-SiC MOSFETs. Thermal annealing can recover the on/off characteristics of neutron-irradiated4H-SiC MOSFETs. After thermal annealing, the interface-trap density decreased and the effective mobility increased interms of the on-characteristics. This finding could be due to the improvement of the interfacial state from thermal annealingand the reduction in Coulomb scattering due to the reduction in interface traps. Additionally, in terms of theoff-characteristics, the thermal annealing resulted in the recovery of the breakdown voltage and leakage current. After thethermal annealing, the number of positive trapped charges at the MOSFET interface was decreased.

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