Low Noise and High Linearity GaAs LNA MMIC with Novel Active Bias Circuit for LTE Applications

Keun-Kwan Ryu; Yong-Hwan Kim; Sung-Chan Kim

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자료유형: 학술저널

저자정보: Keun-Kwan Ryu (Hanbat National University) Yong-Hwan Kim (WaveTrack Inc.) Sung-Chan Kim (Hanbat National University)

저널정보: 한국정보통신학회JICCE Journal of information and communication convergence engineering Journal of information and communication convergence engineering Vol.15 No.2

발행연도: 2017.6

수록면: 112 - 116 (5page)

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In this work, we demonstrated a low noise and high linearity low noise amplifier (LNA) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) with novel active bias circuit for LTE applications. The device technology used in this work relies on a process involving a 0.25-μm GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT). The LNA MMIC with a novel active bias circuit has a small signal gain of 19.7±1.5 dB and output third order intercept point (OIP3) of 38–39 dBm in the frequency range 1.75–2.65 GHz. The noise figure (NF) is less than 0.58 dB over the full bandwidth. Compared with the characteristics of the LNA MMIC without using the novel active bias circuit, the OIP3 is improved about 2–3 dBm. The small signal gain and NF showed no significant change after using the active bias circuit. The novel active bias circuit indeed improves the linearity performance of the LNA MMIC without degradation.

#Active bias circuit #GaAs #Low noise amplifier #MMIC #PHEMT

참고문헌 (13)

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D. Astely, E. Dahlman, A. Furuskar, Y. Jading, M. Lindstrom, and S. Parkvall, “LTE: the evolution of mobile broadband,” IEEE Communications Magazine, vol. 47, no. 4, pp. 44-51, 2009. J. Cao, M. Ma, H. Li, Y. Zhang, and Z. Luo, “A survey on security aspects for LTE and LTE-A networks,” IEEE Communications Surveys & Tutorials, vol. 16, no. 1, pp. 283-302, 2014. A. Ghosh, R. Ratasuk, B. Mondal, N. Mangalvedhe, and T. Thomas, “LTE-advanced: next-generation wireless broadband technology,” IEEE Wireless Communications, vol. 17, no. 3, pp. 10-22, 2010. R. Inada, H. Ogawa, S. Kitazume, and P. Desantis, “A compact 4- GHz linearizer for space use,” IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 34, no. 12, pp. 1327-1332, 1986. A. Katz, S. Moochalla, and J. Klatskin, “Passive FET MMIC linearizers for C, X, and Ku-band Satellite applications,” in Proceedings of IEEE Microwave Symposium Digest (IEEE MTTS), Atlanta, GA, pp. 353-356, 1993.

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