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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.5
- 수록면
- 77 - 82 (6page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2022.59.5.77
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본 논문은 5세대 이동통신(5G) 주파수 범위 2(FR2) 통신을 위한 28 GHz 주파수 대역 기지국에 사용될 수 있는 질화 갈륨(GaN) 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 기반의 2단 저잡음 증폭기(LNA) 모놀리식 마이크로파 집적회로(MMIC) 설계에 관한 연구이다. 설계된 GaN HMET 기반의 LNA는 RF Choke 역할의 바이어스 선로를 임피던스 정합 회로의 일부분으로 사용하고 정합 회로 설계 시 개방 스텁 대신에 병렬 커패시터를 사용하여 칩의 크기를 줄일 수 있었다. 본 논문에서의 28 GHz 대역의 5G 기지국 용으로 설계된 GaN 저잡음 증폭기는 10 V의 드레인 전압과 –1.5 V의 게이트 전압 인가 시 200 mW의 입력전력을 소비한다. 또한, 주파수 26-32 GHz 대역에서 1.6-1.8 dB의 잡음 지수(NF)와 12.9-15.8 dB의 이득을 가지고 12 dB 이상의 입력 반사 손실과 15 dB 이상의 출력 반사 손실을 가진다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 저잡음 증폭기 설계
Ⅲ. 시뮬레이션 결과
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (14)
참고문헌 신청
Tong, Xiaodong, et al. "A 22–30-GHz GaN low-noise amplifier with 0.4–1.1-dB noise figure." IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Vol. 29, no. 2, pp. 134-136, January 2019.
K. W. Yeom, “Microwave Circuit Design A Practical Approach Using ADS,” Prentice Hall, pp. 356-357, 2015.
Raymond S. Pengelly; Simon M. Wood; James W. Milligan; Scott T. Sheppard; William L. Pribble, “A Review of GaN on SiC High Electron-Mobility Power Transistors and MMICs,” IEEE Trans. Microw. Theory Techn., vol. 60, no. 6, pp. 1764–1783, June 2012.
M. Golio, RF and Microwave Semiconductor Handbook, Boca Raton, FL: CRC press, 2003
Ferreyra, Romualdo A., et al. "n++ GaN regrowth technique using pico-second laser ablation to form non-alloy ohmic contacts." IEEE Electron Device Letters, Vol.38, no.8, pp. 1079-1081, June 2017.
K. W. Yeom, “Microwave Circuit Design A Practical Approach Using ADS,” Prentice Hall, pp. 356-357, 2015.
Raymond S. Pengelly; Simon M. Wood; James W. Milligan; Scott T. Sheppard; William L. Pribble, “A Review of GaN on SiC High Electron-Mobility Power Transistors and MMICs,” IEEE Trans. Microw. Theory Techn., vol. 60, no. 6, pp. 1764–1783, June 2012.
M. Golio, RF and Microwave Semiconductor Handbook, Boca Raton, FL: CRC press, 2003
Ferreyra, Romualdo A., et al. "n++ GaN regrowth technique using pico-second laser ablation to form non-alloy ohmic contacts." IEEE Electron Device Letters, Vol.38, no.8, pp. 1079-1081, June 2017.
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