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저자정보
하지상 (연세대학교) 임채광 (연세대학교) 황태종 (연세대학교) 유승용 (연세대학교) 이태욱 (연세대학교) 문찬우 (연세대학교) 전성찬 (연세대학교)
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2022년 학술대회
발행연도
2022.11
수록면
2,515 - 2,519 (5page)

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Recently, the development of semiconductors has reached limit due to technical difficulties for minimizing an electric circuit. As a solution, two-dimensional materials such as graphene emerged, and among them, TMD(Transition Metal Dichalcogenides) materials drew attention as a next-generation semiconductor. Nowadays, research into gas, UV and optical sensors is conducted using Schottky diodes in metal oxide semiconductor devices of TMD materials. NbS₂ is one of the metallic layer materials exhibiting superconductivity. It also has the characteristics of a high work function, which is advantageous for constructing the Schottky barrier. Thus, in this research, Schottky diode using NbS2 in a bulk state is fabricated, which exhibits higher values in terms of electrical conductivity and electron transport than in nano flakes state, as a metallic TMD material. To analyze electrical behaviors of NbS₂, a heterojunction was constructed using NbS₂ and n-type ReS₂ and compared with pure NbS₂. Output curve was measured range from –100 mV to 100 mV. From the study, it is shown that NbS₂/ReS₂ heterojunction works as Schottky diode and further research should be conducted.
#이황화나이오븀(NbS₂) #이황화레늄(ReS₂) #전이금속 디칼코게나이드(Transition Metal Dichalcogenides, TMD) #반데르발스 이형접합(Van der Waals Heterojunction) #쇼트키 다이오드(Schottky diode)

목차

Abstract
서론
연구 방법
실험 결과
결론
참고문헌

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