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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
곽봉우 (Korea Institute of Industrial Technology) 김종훈 (Chungnam National University)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제71권 제11호
발행연도
2022.11
수록면
1,631 - 1,638 (8page)
DOI
10.5370/KIEE.2022.71.11.1631

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2023

Cascode GaN FET의 V2x 지원 OBC용 DAB 컨버터 적용에 관한 연구
곽봉우 전기공학과 2023.01 학위논문

2022

Cascode GaN FET 기반 EV용 V2x DAB 컨버터의 경부하 효율 분석
곽봉우 ,  김종훈 전기학회논문지 2022.11 학술저널
Cascode GaN FET를 적용한 3kW급 DAB 컨버터
곽봉우 ,  김종훈 전력전자학회 학술대회 논문집 2022.07 학술대회자료

초록· 키워드

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In this paper, the light-load efficiency of cascode gallium nitride (GaN) FET-based V2x dual active bridge (DAB) converters for electric vehicles(EVs) is analyzed. High efficiency and high power density are required when an on-board charger(OBC) is used in EVs. To this and a zero voltage switching (ZVS) topology, such as that observed in DAB converters, is widely applied. As for the converter requiring current enough to achieve the ZVS condition of the efficiency characteristics vary depending on whether ZVS operated or not. Therefore, in this study, the efficiency in the hard switching section is improved by applying a cascode GaN FET to a DAB converter. The ZVS characteristic is analyzed by considering the parasitic output capacitance of the switching device. Compared to the Si device, the cascode GaN FET with low parasitic output capacitance realizes ZVS under a lower load condition. To verify this, a load test is performed by applying it to a 3-kW DAB converter. The experimental results confirm that ZVS is achieved when the cascode GaN FET is applied. Moreover, a shorter dead time can be applied owing to excellent dv/dt and di/dt characteristics, which improves the overall efficiency. In conclusion, the use of GaN FET in DAB converters can improve efficiency at light loads.
#Cascode GaN FET #Dual Active Bridge #Zero Voltage Switching #Dead Time Optimization

목차

Abstract
1. 서론
2. 6.6kW급 DAB 컨버터
3. 실험 결과
4. 결론
References

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