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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.6
- 수록면
- 543 - 546 (4page)
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Through the modeling method of programming, we present a simulation of characteristics of each thickness of charge trap flash memory cell. The performance of the memory was defined as retention time/program time. The optimal thickness of each layer with high performance memory characteristics was confirmed through the simulation of the characteristics of each thickness.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 모델링 방법
Ⅲ. 적용
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
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