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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.6
- 수록면
- 378 - 381 (4page)
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The following paper presents an in-depth analysis of BJT-based CMOS smart temperature sensors. One primary source of PTAT error, caused by the common-emitter current gain of the PNP BJTs, is addressed by employing a current gain independent bias circuit. The addition of this PTAT bias circuit removes the sensor’s dependence on the current gain, thus improving its linearity and accuracy over the temperature range of –40 to +125 ℃.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Background
Ⅲ. Current-Gain Independent Bias Circuit
Ⅳ. Simulation Results
Ⅴ. Conclusion
References
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