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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.19 No.5
- 발행연도
- 2019.10
- 수록면
- 498 - 504 (7page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2019.19.5.498
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A RF process, voltage and temperature (PVT) compensated negative resistance (NR) circuit is proposed to improve the quality factor (Q-factor) of CMOS passive devices while ensuring stability over PVT variations. It is implemented in the form of a grounded NR circuit to support single-ended RF circuit applications. Various circuit techniques such as a diode-connected load, a proportional-to-absolutetemperature (PTAT) current source and an adaptive body-biasing based threshold voltage compensation have been adopted to obtain a stable negative resistance value. Simulation results show that the Qfactor of on-chip spiral inductors loaded by the proposed NR circuit is improved from 6 to 60 at 1 ㎓ under typical corner conditions (tt, 1.2V, 27 ℃). The simulated Q-factor variation in corner conditions is approximately 37, which is approximately 6.5 times more stable than conventional NR circuit without compensation.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. PVT COMPENSATED NR CIRCUIT DESIGN
Ⅲ. SIMULATION RESULTS
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (9)
참고문헌 신청
C. P. Yue and S. S. Wong, “On-chip spiral inductors with patterned ground shields for Sibased RF IC’s,” Symp. On VLSI Circuits Dig., pp. 85-59, 12-14 June 1997.
K. B. Ashby, I. A. Koullias, W. C. Finley, J. J. Bastek and S. Moinian, “High-Q inductors for wireless applications in a complementary silicon bipolar process,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 31, pp. 4-9, Jan. 1996.
M. Danesh, J. R. Long, R. A. Hadaway and D. L. Harame, “A Q-factor engancement technique for MMIC inductors,” IEEE MTT-S Int. Micrewave Symp. Dig., vol. 1, pp.183-186, 7-12 June 1998.
K. Kihong and O. Kenneth, “Characteristics of an intefrated spiral inductor with an underlying nwell,” IEEE Trans. Electorn Devices, vol. 44, pp. 1565-1567, Sept. 1997.
N. Choong-Mo and K. Young-Se, “Highperformance planar inductor on thick oxidized porous silicon (OPS) substrate,” IEEE Microwave Guided Wave Lett., vol. 7, 99. 236-238, Aug. 1997.
K. B. Ashby, I. A. Koullias, W. C. Finley, J. J. Bastek and S. Moinian, “High-Q inductors for wireless applications in a complementary silicon bipolar process,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 31, pp. 4-9, Jan. 1996.
M. Danesh, J. R. Long, R. A. Hadaway and D. L. Harame, “A Q-factor engancement technique for MMIC inductors,” IEEE MTT-S Int. Micrewave Symp. Dig., vol. 1, pp.183-186, 7-12 June 1998.
K. Kihong and O. Kenneth, “Characteristics of an intefrated spiral inductor with an underlying nwell,” IEEE Trans. Electorn Devices, vol. 44, pp. 1565-1567, Sept. 1997.
N. Choong-Mo and K. Young-Se, “Highperformance planar inductor on thick oxidized porous silicon (OPS) substrate,” IEEE Microwave Guided Wave Lett., vol. 7, 99. 236-238, Aug. 1997.
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