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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2023.6
- 수록면
- 205 - 209 (5page)
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In this paper, we present the implementation and analysis of methodologies for improving the linearity of bipolar junction transistor (BJT)-based temperature sensor front-end circuits. Traditional BJT temperature sensors often suffer from nonlinearity, resulting reduced accuracy and limited applications [1]. Our methodologies address this issue by incorporating various compensation techniques, which significantly enhance the overall linearity and performance of the temperature sensor. We provide a detailed description of the circuit design and underlying compensation strategies. Extensive simulation results are presented to demonstrate the effectiveness of methodologies in achieving excellent linearity across a wide temperature range. This work paves the wave for the development of highprecision BJT-based temperature sensors suitable for various applications, including industrial, automotive, and consumer electronics. Realized in a 65-nm standard CMOS, the temperature sensor operates from 3.3V.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Overview
Ⅲ. Methodologies
Ⅳ. Simulation Results
Ⅴ. Conclusion
References
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