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A novel CMOS temperature sensor with binary output is implemented by using fully differential switched-capacitor circuits for resistorless implementation of the temperature sensor core. Temperature sensing is based on the temperature characteristics of the pn diodes implemented by substrate pnp transistors fabricated using standard CMOS processes. The binary outputs are generated by using the charge-balance principle that eliminates the division operation of the PTAT voltage by the bandgap reference voltage. The chip was designed in a MagnaChip 0.35-m CMOS process, and the designed circuit was verified using Spectre circuit simulations. The verified circuit was laid out in an area of 950 m × 557 m and is currently under fabrication
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M. Tuthill / 1998 / A switched-current, switched-capacitor temperature sensor in 0. 6-mm CMOS / IEEE J. Solid-State Circuits 33(7):1117~1122
G. Meijer / 2001 / Temperature sensors and voltage references implemented in CMOS technology / IEEE Sensors J 1(3):225~234
M. Pertijs / 2006 / Precision Temperature Sensors in CMOS Technology / Springer :180~182
U. Schoeneberg / 1991 / A CMOS readout amplifier for instrumentation applications / IEEE J. Solid-State Circuits 26(7):1077~1080
L. Liu / 2000 / Differential integrator having offset and gain compensation, not requiring balanced inputs / U.S. Patent 6 166 581
G. Meijer / 2001 / Temperature sensors and voltage references implemented in CMOS technology / IEEE Sensors J 1(3):225~234
M. Pertijs / 2006 / Precision Temperature Sensors in CMOS Technology / Springer :180~182
U. Schoeneberg / 1991 / A CMOS readout amplifier for instrumentation applications / IEEE J. Solid-State Circuits 26(7):1077~1080
L. Liu / 2000 / Differential integrator having offset and gain compensation, not requiring balanced inputs / U.S. Patent 6 166 581
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