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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김현구 (인천대학교) 이한보람 (인천대학교)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제48권 제2호
발행연도
2015.4
수록면
38 - 42 (5page)

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Atomic layer deposition (ALD) is essential for the fabrication of nanoscale electronic devices because it has excellent conformality, atomic scale thickness control, and large area uniformity. Metal thin films are one of the important material components for electronic devices as a conductor. As the size of electronic devices shrinks, the thickness of metal thin films is decreased down to few nanometers, and the metal films become non-continuous due to inherent island growth of metal below a critical thickness. So, fabrication of continuous metal thin films by ALD is fundamentally and practically important. Since ALD films are grown through self-saturated reactions between precursors on surface, initial growth characteristics significantly depend on the surface properties and the selection of precursors. In this work, we investigated ALD Pt on TiO₂ substrate by using trimethyl-methyl-cyclopentadienyl-Platinum (MeCpPtMe₃) precursor and O₃ reactant. By using O₃ instead of O2, initial nucleation rate of ALD Pt was increased on TiO₂ surface, resulting in formation of continuous thin Pt films. Morphologies of ALD Pt on TiO2 were characterized by using Scanning Electron Microscope (SEM) and Energy-Dispersive X-ray Spectroscopy (EDS). Crystallinity of ALD Pt on TiO₂ correlated with its growth characteristics was analyzed by X-Ray Diffraction (XRD).

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (8)

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