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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Md Fahad (Louisiana State University) ASHOK SRIVASTAVA (Louisiana State University)
저널정보
성균관대학교 성균나노과학기술원 NANO NANO Vol.12 No.6
발행연도
2017.1
수록면
39 - 47 (9page)

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A subthreshold slope model for the graphene vertical interlayer tunnel transistor is proposed analytically and results are compared and validated from numerical computations. It has been found that irrespective of the energy dependence in computation method, the subthreshold slope of an interlayer tunnel transistor cannot go below the thermionic limit of 60 mV/decade compared to that of a MOSFET. While thickness of the tunneling barrier, carrier effective mass inside the tunneling barrier, energy band gap between the barrier material and adjacent conductive sandwich layers and the tunneling bias determine the ultimate steepness of the subthreshold slope of such tunnel transistors, a realistic operation of interlayer tunnel transistor at a thin tunnel barrier will always result in a subthreshold slope far greater than the thermionic limit of 60 mV/decade.

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