지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.17 No.2
- 발행연도
- 2017.4
- 수록면
- 216 - 222 (7page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
The most prominent challenge for MOSFET scaling is to reduce power consumption; however, the supply voltage (V<SUB>DD</SUB>) cannot be scaled down because of the carrier injection mechanism. To overcome this limit, a new type of field-effect transistor using positive feedback as a carrier injection mechanism (FBFET) has been proposed. In this study we have investigated the electrical characteristics of a Si<SUB>1-x</SUB>Ge<SUB>x</SUB> FBFET with one gate and one-sided Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB> spacer using TCAD simulations. To reduce the drain bias dependency, Si<SUB>1-x</SUB>Ge<SUB>x</SUB> was introduced as a low-bandgap material, and the minimum subthreshold swing was obtained as 2.87 mV/dec. This result suggests that a Si<SUB>1-x</SUB>Ge<SUB>x</SUB> FBFET is a promising candidate for future low-power devices.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. DEVICE STRUCTURE
III. DEVICE OPERATION
IV. SIMULATION RESULTS
V. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
참고문헌 (21)
참고문헌 신청
D. J. Frank, R. H. Dennard, E. Nowak, P. M. Solomon, Y. Taur, and H-S. P. Wong, Device scaling limits of Si MOSFETs and their application dependencies, Proc. IEEE, Vol. 89, No. 3, pp.259- 288, Mar. 2001.
K. P. Cheung, “On the 60 mV/dec @300 K limit for MOSFET subthreshold swing”, Intl. Symp. VLSI Technol. Syst. Appl. (VLSI-TSA), pp. 72-73, Apr. 2010.
W. Y. Choi, B.-G. Park, J. D. Lee, and T-J. K. Liu, Tunneling field-effect transistors (TFETs) with subthreshold swing (SS) less than 60 mV/dec, IEEE Electron Device Lett., Vol. 28, No. 8, pp.743- 745, Aug. 2007.
W. Wang, P-F. Wang, C-M. Chang, X. Lin, X-Y. Liu, Q-Q. Sun, P. Zhou, and D. W. Zhang, Design of U-Shape Channel Tunnel FETs With SiGe Source Regions, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 61, No. 1, pp.193-197, Jan. 2014.
H. Kim, and B.-G. Park, A 1T-DRAM cell based on a tunnel field-effect transistor with highlyscalable pillar and surrounding gate structure, Journal of the Korean Physical Society, Vol. 69, No. 3, pp. 323-327, Aug. 2016.
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
양성 피드백을 이용한 낮은 문턱 전압 이하 스윙을 갖는 전계 효과 트랜지스터 구현
대한전자공학회 학술대회
2015 .11
-
Investigation of Electrical Coupling of Monolithic 3-Dimensional Ternary Inverter Cell Consisting of Feedback Field-Effect Transistors
INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2023 .01
-
Characteristics of Recess Structure Tunneling Field Effect Transistor for High on Current Drivability
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2018 .06
-
시뮬레이션을 통한 Tunneling Field Effect Transistor의 온도와 트랩 분포에 따른 전류 전달 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2016 .11
-
Organic Field-Effect Transistors for the Detection of Low-Intensity Lights
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2015 .04
-
조립형 박막 트랜지스터 모델링 프레임워크
반도체디스플레이기술학회지
2017 .01
-
Development of New Materials and Device Engineering for High Performance Organic Field-Effect Transistors
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2016 .10
-
Pressure Sensitive Contact Transistors Operating in Subthreshold Regime
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2018 .10
-
Subthreshold Slope of Vertical Graphene Interlayer Tunnel Transistor
NANO
2017 .01
-
시뮬레이션을 통한 Double Gate Tunneling Field Effect Transistor의 최적화 연구
대한전자공학회 학술대회
2016 .06
-
게이트 절연막과 게이트 전극물질의 변화에 따른 피드백 전계효과 트랜지스터의 히스테리시스 특성 확인
전기전자학회논문지
2018 .06
-
터널 전계 효과 트랜지스터로 구성된 모놀리틱 3차원 인버터의 적층된 소자들간의 전기적 상호작용 조사: 실리콘 두께
한국정보통신학회 여성 ICT 학술대회 논문집
2021 .08
-
Crossed Conducting Wire-Based Organic Field-Effect Transistors
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2017 .10
-
피드백 전계효과 트랜지스터에 대한 리뷰 : 동작 메커니즘과 적용 분야
전기전자학회논문지
2018 .06
-
Infrared-Sensing Organic Field-Effect Transistors
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2023 .04
-
Body 두께에 따른 reconfigurable feedback field-effect transistor (FBFET) 동작 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2024 .11
-
터널 전계 효과 트랜지스터로 구성된 모놀리틱 3차원 인버터의 적층된 소자들간의 전기적 상호작용 조사
한국정보통신학회 여성 ICT 학술대회 논문집
2020 .08
-
Parameter Extraction Method for Disordered Organic Field-Effect Transistors
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2017 .04
-
Macro-modeling of P-type Feedback Field-Effect Transistor
INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2022 .01
-
Low-Voltage 2D Material Field-Effect Transistors Enabled by Ion Gel Capacitive Coupling
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2017 .04
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2018-020-000839737