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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.1
- 수록면
- 106 - 111 (6page)
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Dual radio frequency (RF) powers are widely used with commercial plasma etchers for various nanoscale patterns. However, it is challenging to understand the relationship among the dual RF powers and the etching processes. In this work, the effect of the dual RF bias powers on SiO2 sputter etching was investigated in inductively coupled plasma (ICP). The relationship was studied among 2 MHz and 27.12 MHz RF bias powers, a 13.56 MHz ICP source power, the ion bombardment energy, the ion density and the etching rate. The results show that the ion density of Ar plasma can be controlled in the region of 109 – 1011 ions/cm3 , and DC self-bias can be controlled by controlling the ratio of dual RF bias powers while the ion density is maintained with the operation of source power. This work reveals that the dual RF bias powers expand the process window of the ion density and the ion bombardment energy independently in the ICP plasma source. The sputter etching rate is also modeled using the ion-enhanced etching model, and the model shows good agreement with the etching rate data.
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S. Banna / 2012 / J. Vac. Sci. Technol. A 30:040801
장희규 / 2014 / Non-Invasive Plasma Monitoring Tools and Multivariate Analysis Techniques for Sensitivity Improvement / 한국진공학회지 23(6):328~339
M. A. Lieberman / 2005 / Principles of Plasma Discharges and Materials Processing / Wiley
T. Okumura / 2010 / Phys. Res. Int 2010:164249
S. J. Pearton / 2005 / Plasma Process. Polym 2:16
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