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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제16권 제4호
발행연도
2015.1
수록면
169 - 172 (4page)

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Although, there are several research studies on the engineering of the graphene layers using different etching techniques, there is not any comprehensive study on the effects of using different etching masks in the reactive ion etching (RIE) method on the quality and uniformity of the etched graphene films. This study investigated the effects of using polystyrene and conventional photolithography resist as a etching mask on the engineering of the number of graphene layers, using RIE. The effects were studied using Raman spectroscopy. This analysis indicated that the photo-resist mask is better than the polystyrene mask because of its lower post processing effects on the graphene surface during the RIE process. A single layer graphene was achieved from a bi-layer graphene after 3 s of the RIE process using oxygen plasma, and the bi-layer graphene was successfully etched after 6 s of the RIE process. The bilayer etching time was significantly smaller than reported values for graphene flakes in previous research.
#Graphene #Reactive ion etching #Raman spectroscopy

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참고문헌 (24)

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A. K. Geim / 2007 / The rise of graphene / Nature Materials 6 (3) : 183 ~ 191 google schola Alfonso Reina / 2009 / Large Area, Few-Layer Graphene Films on Arbitrary Substrates by Chemical Vapor Deposition / Nano Letters 9 (1) : 30 ~ 35 google schola B. Sanyal / 2012 / Advanced Functional Materials: A Perspective from Theory and Experiment / Elsevier google schola C. Isaac / 2011 / / New Journal of Physics 13 : 025008 ~ google schola C.N.R. Rao / 2013 / Graphene: Synthesis, Properties, and Phenomena / Wiley google schola

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