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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 528 - 538 (11page)
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The effects of the addition of Si and Sb on the microstructure and thermoelectric properties of GeTe were investigated in thisstudy. Pure GeTe showed a typical herringbone structure that consisted of regularly aligned domains with alternating brightand dark contrast areas. When Sb atoms were added to the GeTe, a clean herringbone structure was not formed. Instead, manysharp lines that are likely narrow domains were observed, and their formation can be ascribed to the cubic stabilizing natureof Sb in GeTe. The co-addition of Si and Sb to GeTe resulted in a breakdown of the herringbone structure and formation ofSiGe and Si precipitates. Even though Si and Ge can form a complete solid solution, the solubility of Si in GeTe remainedlow. The addition of Sb to GeTe significantly reduced the electrical conductivity due to the aliovalent donor nature of Sb. Its thermal conductivity was also very low due to the mass fluctuation in the solid solution and narrow domain structure. Therefore, the best figure-of-merit (ZT) of 0.67 at 570 K was obtained. However, Ge1−x−ySbxSiyTe compounds with both Siand Sb addition showed a relatively low ZT value.
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