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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전자파학회JEES Journal of Electromagnetic Engineering And Science Journal of Electromagnetic Engineering And Science Vol.20 No.3
- 발행연도
- 2020.7
- 수록면
- 207 - 212 (6page)
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A tunable bondwire inductor (TBI) with high-quality factor and wide tuning range is presented. The proposed TBI is fabricated on a single chip by combining a single-pole four-throw (SP4T) switch integrated circuit (IC) and four bondwire inductors on a package substrate. The SP4T switch IC is fabricated using 180 nm silicon-on-insulator (SOI) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology. The fabricated TBI chip exhibits a 521% tuning range of inductance from 1.77 to 11 nH at 0.1 GHz and a relatively highquality factor. To the knowledge of the authors, the results of this work demonstrate the best combined performance of inductance tuning range and quality factor.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. DESIGN OF THE TUNABLE BONDWIRE INDUCTOR
III. FABRICATION AND MEASUREMENT RESULTS
IV. CONCLUSION
REFERENCES
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