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자료유형
학술저널
저자정보
남기령 (충남대학교) 정준교 (충남대학교) 성재영 (충남대학교) 이가원 (충남대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제22권 제3호
발행연도
2021.1
수록면
372 - 377 (6page)

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Retention characteristics of silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) nonvolatile memory are aff ected by properties such as energy level and spatial location. In this study, a model was presented that separately evaluated the bulk and interface trap level density distributions in the SONOS nonvolatile memory charge trapping layer (CTL). This model is proposed in the form of a fi rst-order function of nitride thick X N , so the bulk and interface trap densities, g bulk and g interface , respectively, can be extracted from the slope and y-intercept. Measurements were performed on various thickness samples. For verifi cation, CTL1 and CTL2 were formed by diff erent processes. The extracted CTL1 g bulk and g interface are on the order of 10 17 cm ?3 and 10 11 cm ?2 , and the CTL2 g bulk and g interface are of the order of 10 18 cm ?3 and 10 12 cm ?2 , respectively. Using this model, a direction to improve the SONOS device retention characteristics can be suggested.
#SONOS memory device #Charge trapping layer #Trap level distribution #Interface and bulk #Retention characteristic

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K. Ishimaru / 2019 / IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) :1~3 google schola C. Kim / 2017 / IEEE J. Solid-State Circuits 53(1):124~133 google schola M.C. José / 2016 / New Horizons for a DataDriven Economy: A Roadmap for Usage and Exploitation of Big Data in Europe / Springer google schola S. Aritome / 2016 / IEEE 8th International Memory Workshop (IMW) :1~4 google schola S. Li / 2018 / J. Ind. Inf. Integr 10:1~9 google schola

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