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한상진 (부산대학교) 부서준 (부산대학교) 변석현 (부산대학교) 장준영 (부산대학교) 송동영 (부산대학교) 차단영 (부산대학교) 이성식 (부산대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2024년도 대한전자공학회 하계학술대회 논문집
발행연도
2024.6
수록면
693 - 697 (5page)

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We show a study on a different structure of a high-k gate insulator stack-dependent synaptic characteristics of a Hafnium doped Zinc Oxide (Hf-ZnO) thin-film transistors (TFTs). These Hf-ZnO TFTs can achieve the memory phenomena (e.g. an electron trapping and de-trapping) by employing a charge-trap layer (CTL). Here, when the number of CTLs is increased, the weight-update characteristics, such as a dynamic ratio, is expected to be improved due to a relatively thinner tunneling oxide (T-Ox) between the CTL and active layer. Regarding the retention process, the double CTL can lead to be a relatively long-term memory through its increased number of T-Ox in comparison with the single CTL. To check these, the static and pulsed characteristics of fabricated Hf-ZnO TFTs are experimentally monitored.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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