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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제22권 제3호
- 발행연도
- 2021.1
- 수록면
- 328 - 334 (7page)
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In this paper, we have implemented 12T and 14T SRAM bitcell using FinFET with optimized parameters. Optimized parameters are related in terms average power consumption, delay, power delay product (PDP), and energy delay product (EDP). Simulation results of all parameters of 12T and 14T SRAM bitcell are reported with 22 nm FinFET technology. All parameters of 12T and 14T SRAM using FinFET are compared to conventional 12T and 14T SRAM and found that the results have improved in average power consumption, PDP, EDP, and propagation delay. Parameters for 12T SRAM using FinFET includes average power consumption, propagation delay, PDP and EDP, which are improved by 99%, 79.2%, 99.7% and 99.7%, respectively. Similarly, designing 14T SRAM using FinFET, gets improvements of 99% in Average Power consumption, 76.5% in propagation Delay, 99.4% in PDP, and 99.5% in EDP.
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Muhammad Khalid / 2016 / Memristor Crossbar-Based Pattern Recognition Circuit Using Perceptron Learning Rule / 2016 IEEE International Symposium on Nanoelectronic and Information Systems (iNIS) :236~239
Muhammad Khalid / 2019 / Review on Various Memristor Models, Characteristics, Potential Applications, and Future Works / Transactions on Electrical and Electronic Materials 20(4):289~298
Anup Shrivastava / 2014 / Improved dual sided doped memristor: modelling and applications / The Journal of Engineering 2014(5):219~226
M. R. Ansari / 2017 / Design and evaluation of binary tree based scalable 2D and 3D network-on-chip architecture / Smart. Sci 5(4):194~198
Q. Ansari / 2015 / Advancement in energy effi -cient routing algorithms for 3-D network-on-chip architecture / The Proceedings of National Conference on Emerging Trends in Electrical and Electronics Engineering (ETEEE-2015) :104~110
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