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Drop casting, a solution process, is a simple low-cost fabrication technique that does not waste material. In this study, we elucidate the effect of the concentration of a InGaZnO solution on the electrical properties of drop-cast oxide thin-film transistors. The higher the concentration the larger the amount of remnant InGaZnO solutes, which yields a thicker thin film. Accordingly, the electrical properties were strongly dependent on the concentration. At a high concentration of 0.3 M (or higher), a large current flowed but did not lead to switching characteristics. At a concentration lower than 0.01 M, switching characteristics were observed, but the mobility was small. In addition to a high mobility, sufficient switching characteristics were obtained at a concentration of 0.1 M owing to the appropriate thickness of the semiconductor layer. This study provides a technical basis for the low-cost fabrication of switching devices capable of driving a sensor array.
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S. J. Kim / 2014 / Review of solution-processed oxide thin-film transistors / Jpn. J. Appl. Phys. 53(02BA02):1~10
E. Fortunato / 2012 / Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors : A Review of Recent Advances / Adv. Mater 24(22):2945~2986
J. W. Park / 2020 / A Review of Low-Temperature Solution-Processed Metal Oxide Thin-Film Transistors for Flexible Electronics / Adv. Funct. Mater 30(1904632):1~40
허승진 / 2013 / Recent advances in low-temperature solution-processed oxide backplanes / Journal of Information Display 14(2):79~87
W. H. Lee / 2015 / Printed In-Ga-Zn-O drop-based thin film transistors sintered using intensely pulsed white light / RSC Adv 5:78655~78659
E. Fortunato / 2012 / Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors : A Review of Recent Advances / Adv. Mater 24(22):2945~2986
J. W. Park / 2020 / A Review of Low-Temperature Solution-Processed Metal Oxide Thin-Film Transistors for Flexible Electronics / Adv. Funct. Mater 30(1904632):1~40
허승진 / 2013 / Recent advances in low-temperature solution-processed oxide backplanes / Journal of Information Display 14(2):79~87
W. H. Lee / 2015 / Printed In-Ga-Zn-O drop-based thin film transistors sintered using intensely pulsed white light / RSC Adv 5:78655~78659
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