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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.6
- 수록면
- 561 - 565 (5page)
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Owing to superior complementary metal oxide semiconductor (CMOS) compatibility and high scalability, substantial research effort of HfO₂- based Ferroelectric have been put into the development of hafnia-based nonvolatile memory(NVM) devices. With regard to this, FeFET with various structure has been proposed. However, Metal / Ferroelectrics / Silicon (MFS), Metal / Ferroelectrics / Insulator / Silicon (MFIS) structure FeFET have limited memory window, reliability and switching speed property. The value of the capacitance of gate insulator is relatively lower than that of ferroelectrics, which induces most of the biased voltage drops in the gate dielectric layer. Here in, We exploit the Metal / Ferroelectric Layer / Metal / Insulator / Silicon (MFMIS) structure FeFET, in order to adjust capacitance ratio between gate insulator and ferroelectrics(CDE : CFE). We found the large memory window, high switching speed and high endurance in the MFMIS FeFET at a certain capacitance ratio (CDE : CFE). We believe the MFMIS FeFET can be a promising NVM device.
목차
Abstract
I. Introduction
II. Result and Discussion
Ⅲ. Conclusion
Reference
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