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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.10
- 수록면
- 147 - 151 (5page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2022.59.10.147
이용수
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본 연구에서는 Al₂O₃/HfO₂ 기반 이중층, 시냅스 소자에서 Al₂O₃ 두께 효과를 연구하였다. HfO₂(3㎚)/Pt/Ti/SiO₂/Si 구조의 기판 위에 Al₂O₃를 3 ~ 10 ㎚ 범위로 각각 증착(ALD)하고 상부 전극을 Al로 형성하였다. Al₂O₃ 두께가 증가함에 따라 forming voltage가 점차 증가하였지만, variation이 감소하여 균일한 특성을 확인하였다. 또한 single layer (Al/HfO₂/Pt)인 경우보다 bi-layer (Al/Al₂O₃/HfO₂/Pt)인 경우에 cycle to cycle 특성 평가에서 uniformity와 on/off ratio가 더욱 향상되었고, 특히 Al₂O₃의 두께가 5 ㎚인 device에서 다른 두께들보다 on/off ratio 및 uniformity가 가장 좋음을 확인하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 실험 결과
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (13)
참고문헌 신청
Andy Thomas, "Memristor-based neural networks", Journal of Physics. D, Applied Physics, vol. 46, no. 9, Mar 06, 2013
Shimeng Yu, "Overview of resistive switching memory (RRAM) switching mechanism and device modeling", IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), pp. 2017-2020, June 2014
SM Sadaf, "Highly uniform and reliable resistance switching properties in bilayer WOx/NbOx RRAM devices", physica status solidi (RRL), vol. 209, no. 6, pp. 1179-1183, June 2012
Po-Tsun Liu, "Improvement of Resistive Switching Uniformity for Al–Zn–Sn–O-Based Memory Device With Inserting HfO2 Layer", IEEE, vol. 35, no. 12, pp. 1233-1235, October 2014
Joonmyoung Lee1, "Effect of ZrOx/HfOx bilayer structure on switching uniformity and reliability in nonvolatile memory applications", Appl. Phys. Lett, vol. 97, no. 17, Art. no. 172105, Oct. 2010
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