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학술대회자료
저자정보
김향우 (포항공과대학교) 조현수 (포항공과대학교) 서명해 (포항공과대학교) 이승호 (포항공과대학교) 공병돈 (포항공과대학교) 백창기 (포항공과대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2021년도 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집
발행연도
2021.6
수록면
66 - 69 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2021

고신뢰성 데이터 유지 특성을 가진 3단자 사이리스터 랜덤 액세스 메모리
김향우 ,  조현수 ,  서명해 외 3명 대한전자공학회 학술대회 2021.06 학술대회자료

2020

스케일링 및 데이터 보존을 위한 2단자 사이리스터 랜덤 액세스 메모리 (T-RAM) 특성 분석
김향우 ,  조현수 ,  최민근 외 2명 대한전자공학회 학술대회 2020.08 학술대회자료

초록· 키워드

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Three-terminal thyristor random access memory(TRAM) is investigated in terms of gate-cathode voltage(V<SUB>GC,ST</SUB>) and anode-cathode voltage(V<SUB>AC,ST</SUB>) in the standby state to improve the retention characteristics and low-power operation. The device with the optimized V<SUB>GC,ST</SUB> of -0.4 V and V<SUB>AC,ST</SUB> of 0.55 V shows the continuous retention capability without refresh operation with a low standby current of 0.13 pA. In addition, the proposed array operation scheme can effectively minimize operation disturbances on unselected cells. Consequently, the three-terminal TRAM with the proposed array operation provides excellent retention and high-reliable memory configurations comparable with or surpass DRAM.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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