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저자정보
김향우 (포항공과대학교) 조현수 (포항공과대학교) 최민근 (포항공과대학교) 공병돈 (포항공과대학교) 백창기 (포항공과대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2020년도 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집
발행연도
2020.8
수록면
60 - 64 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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2 terminal thyristor random-access memory (T-RAM) is investigated in terms of doping concentrations in the storage region to improve scalability and data retention time. When doping concentrations of N and P storage region are equal to each other at 1018 cm-3, T-RAM exhibits the highest retention time of 100 msec. In addition, it is proposed how to set the standby voltage in an energy-effective way. This standby voltage allows steady data retention of T-RAM with femto-scale leakage current until the erase operation is applied. Consequently, the proposed guideline can give a pathway to realize 2 terminal T-RAM as a promising capacitor-less DRAM technology.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 결론
참고문헌

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