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저자정보
Tae Yeob Kang (Agency for Defense Development) Joonki Min (Agency for Defense Development) Donghwan Seo (Agency for Defense Development) Taek-Soo Kim (KAIST)
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 신뢰성부문 2021년도 춘계학술대회 논문집
발행연도
2021.4
수록면
25 - 25 (1page)

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Recently, there has been growing interest in monitoring the ongoing health of products and systems in order to predict component failures in advance of the catastrophic one. Even though PHM technologies have been well developed regarding solder-joint interconnections, in-depth studies on the failure initiation signals from bond wire interconnects are needed. In this paper, we address the technical issues of bond wire interconnects on the high frequency performance and failure initiation under severe temperature environments. We paid attention to the certain scattering parameter(S-parameter) patterns of each defective interconnect to provide information about both the severity of defects and the causes. S-parameters describe the electrical behavior of electrical networks when undergoing various steady state stimuli by electrical signals. Many electrical properties of networks of components (inductors, capacitors, resistors) may be expressed using S-parameters. Also, the S-parameter measurements using network analyzers are the most basic work of RF engineering. One of the basic tools in the RF design process is the use of S-parameter measurements. These measurements can be used in today’s computer-aided design (CAD) tools as part of the circuit-simulation process. S-parameters describe a component as a black box and are used to emulate behavior of electronic components over a range of frequencies. Thus, it would be highly convenient if the defects could be detected and analyzed by the s-parameter measurement itself. Therefore, it would be convenient if performance variation and crack initiation would be shown with the s-parameter alone. In this study, we show the performance variation of bond wire interconnects with S parameter supported by the impedance modeling. The model is verified by ADS simulation. Also, it is suggested that insertion loss can be a useful prognostics factor. This paper provid ... 전체 초록 보기
#Resonant frequency(공진주파수) #Failure precursor(고장예지자) #Interconnect(인터커넥트) #Crack(크랙)

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