반도체용 미세 회로 기판의 절연 파괴 고장 분석

이지은; 트세드발 불간; 이정구; 구본흔; 허석환

doi:10.33162/JAR.2021.3.21.1.26

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이지은 (창원대학교) 트세드발 불간 (창원대학교) 이정구 (한국재료연구원) 구본흔 (창원대학교) 허석환 (창원대학교)

저널정보: 한국신뢰성학회 신뢰성응용연구 신뢰성응용연구 제21권 제1호

발행연도: 2021.3

수록면: 26 - 33 (8page)

DOI: 10.33162/JAR.2021.3.21.1.26

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Purpose: The failure mechanism of electrical breakdown of organic substrate was identified. The median lives of various samples under biased Highly accelerated stress test (HAST) were determined from log-normal distributions.
Methods: Failure analyses of electrical breakdown were conducted. Electrical test, optical microscopy, focus ion beam, electron microscopy, energy dispersive X-ray spectroscopy, and Fouriertransformed infrared were performed on electrical breakdown failure.
Results: The median lives of the customer’s failed samples, the archived samples, and re-designed samples were measured to be 29.0 h, 59.5 h, and 270.8 h, respectively. The result promoted copper ion migration due to excessive water absorption of photosensitive solder resist, and the excessive water absorption results from the un-cured photosensitive solder resist.
Conclusion: The electrical breakdown causes were uncured SR and consequent excess water absorption.

#Failure Analysis #Biased HAST #Electrical Breakdown Failure #Organic Substrate

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2003 / Preconditioning of Nonhermetic Surface Mount Devices Prior to Reliability Testing, JESD22-A113I / JEDEC Solid State Technology Association

홍원식 / 2007 / 전기적 및 전기화학적 특성 측정을 이용한 전자제품 신로성 평가 / 대한용접접합학회지 25(2):16~23

F. Faupel / 1998 / Diffusion of metals in polymers / Mater. Sci. and Eng.: R: Rep 22(1):1~55

허석환 / 2015 / 고온고습 전압인가(Biased HAST) 시험에서 인쇄회로기판의 이온 마이그레이션 불량 메커니즘 / 마이크로전자 및 패키징학회지 22(1):43~49

Y. Hwang / 2003 / Failure analysis of electrostatic discharge and electrical overstress failures of GaAs MMIC / IMAPS Adv. Technol. Conf. on 3-D Packaging :1~5

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