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학술저널
저자정보
Moonsoo Kim (Seoul National University) Juhan Lee (Seoul National University) Hyun Kim (Seoul National University of Science and Technology) Hyuk-Jae Lee (Seoul National University)
저널정보
대한전자공학회 IEIE Transactions on Smart Processing & Computing IEIE Transactions on Smart Processing & Computing Vol.10 No.1
발행연도
2021.2
수록면
55 - 60 (6page)
DOI
10.5573/IEIESPC.2021.10.1.055

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Phase-change memory is a promising technology due to its attractive properties. However, phase-change memory is difficult to commercialize because of its reliability issues. A read disturbance error, which is the main cause of reliability issues, occurs when a cell is repeatedly read. A conventional solution for read disturbance errors is periodically scrubbing the cells. However, this method requires read counters to count the number of reads per word. This paper proposes an on-demand scrubbing solution that does not require read counters, which significantly reduces resource overhead. The proposed method observes the number of errors in a word using error-correcting code. If the number of errors is larger than a pre-defined threshold, scrubbing is performed to fix the errors. The proposed method removes nearly 1GB of hardware overhead required by read counters, and fixes more than 99.99% of read disturbance errors.

목차

Abstract
1. Introduction
2. Background
3. On-demand Memory Scrubbing
4. Simulation Results
5. Conclusion
References

참고문헌 (12)

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