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저자정보
한원규 (한양대학교 신소재 공학부) 조진기 (한국 산업기술 대학교 신소재 공학부) 최재웅 (한양대학교 신소재 공학부) 김정태 (하이닉스 반도체) 염승진 (하이닉스 반도체) 곽노정 (하이닉스 반도체) 김진웅 (하이닉스 반도체) 강성군 (한양대학교 신소재 공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제17권 제9호
발행연도
2007.1
수록면
469 - 474 (6page)

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Electroless deposition(ELD) was applied to fabricate Cu interconnections on a TaN diffusion barrier with Pd seed layer. The Pd seed layer was obtained by self-assembled monolayer method(SAM) with PDDA and PSS as surfactants. We were able to obtain about 10nm Pd nano particles as seeds for electroless Cu deposition and the density of Pd seeds was much higher than that of Pd seeds fabricated by conventional Pd sensitization-activation method. Also we were able to obtain finer Cu interconnections by ELD. Therefore we concluded that the Pd seed layer by SAM was able to be applied to form Cu interconnection by ELD for under 30nm feature.
#Layer-by Layer #Self assembled monolayer #ELD #X-ray photoelectron spectroscopy

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