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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김근주 (전북대학교 기계공학과) 양정자 (전북대학교 기계공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제3권 제3호
발행연도
2004.1
수록면
31 - 35 (5page)

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A blue light emitting diode with 8 periods InGaN/GaN multi-quantum well structure grown by metal-organic chemical vapor deposition was fabricated with the inclusion of the metal-interconnection process in order to integrate the chips for light lamp. The quantum well structure provides the blue light photoluminescence peaked at 479.2 nm at room temperature. As decreasing the temperature to 20 K, the main peak was shifted to 469.7 nm and a minor peak at 441.9 nm appeared indicating the quantum dot formation in quantum wells. The current-voltage measurement for the fabricated LED chips shows that the metal-interconnection provides good current path with ohmic resistance of 41 $\Omega$.
#Blue LED #Metal interconnection #Photoluminescence #Electroluminescence

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