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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
장승현 (Department of Chemistry, University of Wisconsin)
저널정보
조선대학교 기초과학연구원 조선자연과학논문집 조선자연과학논문집 제3권 제4호
발행연도
2010.1
수록면
206 - 209 (4page)

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As the etching time is varied, the change of thickness of the porous silicon layers was successfully investigated. The thickness of the PSi layer as a function of anodization time for a p-type substrate that is etched at a constant current density of 50 $mA/cm^2$ in a 35% hydrofluoric acid solution shows a linear relationship between the etching time and the thickness of the PSi layer.
#Porous Silicon #Anodization #Thickness #Etch

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