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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
한정민 (한국화학연구원)
저널정보
조선대학교 기초과학연구원 조선자연과학논문집 조선자연과학논문집 제3권 제3호
발행연도
2010.1
수록면
148 - 152 (5page)

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Photoluminescence properties and surface morphologies of porous silicon etched with various applied current densities at fixed etching times. FE-SEM image of porous silicon surface indicated that the porous silicon prepared at currents below 200 mA exhibited very bright red photoluminescence properties. As the applied current densities increased, the photoluminescence efficiencies of porous silicon prepared at applied current densities above 300 mA decreased, and displayed the cracked surface on porous silicon. This cracked surface start to collapsed to give cracked domains.
#Porous silicon #Photoluminescence #Efficiency #Morphology #Surface

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