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저널정보
조선대학교 기초과학연구원 조선자연과학논문집 조선자연과학논문집 제3권 제4호
발행연도
2010.1
수록면
237 - 240 (4page)

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Recently, number of studies for porous silicon have been investigated by many researchers. Multistructured porous silicon (PSi), distributed Bragg reflector (DBR) PSi, has been a topic of interest, because of its unique optical properties. DBR PSi were prepared by an electrochemical etch of $P^{{+}{+}}$-type silicon wafer of resistivity between 0.1 $m{\Omega}cm$ with square wave current density, resulting two different refractive indices. In this work, We have fabricated a simple and portable organic vapor-sensing device based on DBR porous silicon and investigated the optical characteristics of DBR porous silicon. DBR porous silicon have been characterized by FT-IR, Ocean optics 2000 spectrometer. The device used DBR PSi chip has been demonstrated as an excellent gas sensor, showing a great senstivity to a toxic vapor (TEP, DMMP, DEEP) at room temperature.
#Bragg #Sensor #TEP #DMMP #DEEP

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