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자료유형
학술저널
저자정보
최태은 ([주] 상아프론테크) 박재현 ([주] 상아프론테크)
저널정보
조선대학교 기초과학연구원 조선자연과학논문집 조선자연과학논문집 제2권 제2호
발행연도
2009.1
수록면
82 - 85 (4page)

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Distributed Bragg reflector (DBR) porous silicon (PSi) was generated by an electrochemical etching a bragg structure into a silicon wafer through electrode current in aqueous ethanolic HF solution. DBR PSi exhibiting unique reflectivity was successfully obtained by an electrochemical etching of silicon wafer using square current waveform. The multilayered photonic crystals of DBR PSi exhibited the reflection of a specific wavelength with high reflectivity in the optical reflectivity spectrum. In this work, we have developed a method to create refractive index in Si substrate through intensity of an electric current. The electrochemical process allows for precise control of the structural properties of DBR PSi such as thickness of the porous layer, porosity, and average pore diameter. The number of reflection peak of DBR PSi and its pore size increased as the intensity of electric current increased. This might be a demonstration for the fabrication of specific reflectors or filters.
#DBR Porous Silicon #Photonic Crystals #Bragg Structure #Reflectivity

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