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자료유형
학술저널
저자정보
Um, Sungyong (Department of Chemistry, Chosun University) Sohn, Honglae (Department of Chemistry, Chosun University)
저널정보
조선대학교 기초과학연구원 조선자연과학논문집 조선자연과학논문집 제7권 제1호
발행연도
2014.1
수록면
1 - 4 (4page)

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Distributed Bragg reflector porous silicon of different characteristics were formed to determine their optical constants in the visible wavelength range using a periodic square wave current between low and high current densities. The surface and cross-sectional SEM images of distributed Bragg reflector porous silicon were obtained using a cold field emission scanning electron microscope. The surface image of distributed Bragg reflector porous silicon indicates that the distributions of pores are even. The cross-sectional image illustrates that the multilayer of distributed Bragg reflector porous silicon exhibits a depth of few microns and applying of square current density during the etching process results two distinct refractive indices in the contrast. Distributed Bragg reflector porous silicon exhibited a porosity depth profile that related directly to the current-time profile used in etch. Its free-standing film was obtained by applying an electro-polishing current.
#DBR #Refractive Index #Porous Silicon

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