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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
박철영 (한국생산기술연구원 호남권 기술본부)
저널정보
조선대학교 기초과학연구원 조선자연과학논문집 조선자연과학논문집 제2권 제4호
발행연도
2009.1
수록면
275 - 279 (5page)

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Recently, number of studies for porous silicon (PSi) have been investigated by many researchers. Multistructured porous silicon such as a distributed Bragg reflector (DBR) PSi, has been a topic of interest, because of its unique optical properties. DBR PSi were prepared by using an electrochemical etch of $P{^+}{^+}$-type silicon wafer with resistivity between 0.1 and $10m{\Omega}cm$. The electrochemical etch with square wave current density results in two different refractive indices in the porous layer. In this work, DBR porous silicon chips for a simple and portable organic vapor-sensing device have fabricated. The optical characteristics of DBR PSi have been investigated. DBR porous silicon have been characterized by FT-IR and Ocean optics 2000 spectrometer. The device used DBR PSi chip has been demonstrated as an excellent gas sensor, showing a great senstivity to organic vapor at room temperature.
#Distributed Bragg reflector #DBR) PSi #FT-IR

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