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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 137 - 142 (6page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (3)
2009
A Protective Layer on the Active Layer of Al-Zn-Sn-O Thin-Film Transistors for Transparent AMOLEDs
Cho
,
Doo-Hee
,
KoPa
외 18명
Journal of information display
2009.01
학술저널
Protective Layer on Active Layer of Al-Zn-Sn-O Thin Film Transistors for Transparent AMOLED
Cho
,
Doo-Hee
,
KoPa
외 18명
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2009.01
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Transparent top-gate Al-Zn-Sn-O (AZTO) thin-film transistors (TFTs) with an $Al_2O_3$ protective layer (PL) on an active layer were studied, and a transparent 2.5-inch QCIF+AMOLED (active-matrix organic light-emitting diode) display panel was fabricated using an AZTO TFT backplane. The AZTO active layers were deposited via RF magnetron sputtering at room temperature, and the PL was deposited via two different atomic-layer deposition (ALD) processes. The mobility and subthreshold slope were superior in the TFTs annealed in vacuum and with oxygen plasma PLs compared to the TFTs annealed in $O_2$ and with water vapor PLs, but the bias stability of the TFTs annealed in $O_2$ and with water vapor PLs was excellent.
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