A Level Shifter Using Aluminum-Doped Zinc Tin Oxide Thin Film Transistors with Negative Threshold Voltages

Hwang, Tong-Hun; Yang, Ik-Seok; Kim, Kang-Nam; Cho, Doo-Hee; KoPark, Sang-Hee; Hwang, Chi-Sun; Byun, Chun-Won; Kwon, Oh-Kyong

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저자정보: Hwang, Tong-Hun (Division of Electrical and Computer Engineering, Hanyang University) Yang, Ik-Seok (Division of Electrical and Computer Engineering, Hanyang University) Kim, Kang-Nam (Division of Electrical and Computer Engineering, Hanyang University) Cho, Doo-Hee (Transparent Electronics Team, Electronics and Telecommunications Research Institute) KoPark, Sang-Hee (Transparent Electronics Team, Electronics and Telecommunications Research Institute) Hwang, Chi-Sun (Transparent Electronics Team, Electronics and Telecommunications Research Institute) Byun, Chun-Won (Transparent Electronics Team, Electronics and Telecommunications Research Institute) Kwon, Oh-Kyong (Division of Electrical and Computer Engineering, Hanyang University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display

발행연도: 2009.1

수록면: 464 - 465 (2page)

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A new level shifter using n-channel aluminum-doped zinc tin oxide (AZTO) thin film transistors (TFTs) was proposed to integrate driving circuits on qVGA panels for mobile display applications. The circuit used positive feedback loop to overcome limitations of circuits designed with oxide TFTs which is depletion mode n-channel TFTs. The measured results shows that the proposed circuit shifts 10 V input voltage to 20 V output voltage and its power consumption is 0.46 mW when the supply voltage is 20 V and the operating frequency is 10 kHz.

#transparent oxide TFT #level shifter #depletion mode TFT #n-channel TFT

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