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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.1
- 수록면
- 39 - 43 (5page)
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It was confirmed that the silicon thin films fabricated on the p-Si (100) substrates by using DIPAS (DiIsoPropylAminoSilane) and TDMA-Sb (Tris-DiMethylAminoAntimony) sources by RPCVD method were amorphous and n-type silicon. The fabricated amorphous n-type silicon films had electron carrier concentrations and electron mobilities ranged from $6.83{\times}10^{18}cm^{-3}$ to $1.27{\times}10^{19}cm^{-3}$ and from 62 to $89cm^2/V{\cdot}s$, respectively. The ideality factor of the pn junction diode fabricated on the p-Si (100) substrate was about 1.19 and the efficiency of the fabricated pn solar cell was 10.87%.
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http://www.wwfkorea.or.kr/news_resources_home1/news/?uNewsID=229870
http://www.electimes.com/article.php?aid=1489618121142726005
Seba, T. / 2014 / Clean Disruption of Energy and Transportation / Tony Seba
Spear, W. E. / 1975 / Substitutional Doping of Amorphous Silicon / Solid State Communication 17(9):1193~1196
김광호 / 2014 / DIPAS(디이소프로필아미노 실란; Diisoprophylamino Silane) 소스를 이용한 Si 박막 형성 및 특성 / 한국정보기술학회논문지 12(01):25~30
http://www.electimes.com/article.php?aid=1489618121142726005
Seba, T. / 2014 / Clean Disruption of Energy and Transportation / Tony Seba
Spear, W. E. / 1975 / Substitutional Doping of Amorphous Silicon / Solid State Communication 17(9):1193~1196
김광호 / 2014 / DIPAS(디이소프로필아미노 실란; Diisoprophylamino Silane) 소스를 이용한 Si 박막 형성 및 특성 / 한국정보기술학회논문지 12(01):25~30
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