메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김광호 (청주대학교)
저널정보
한국정보기술학회 한국정보기술학회논문지 한국정보기술학회논문지 제12권 제1호(JKIIT, Vol.12, No.1)
발행연도
2014.1
수록면
25 - 30 (6page)
DOI
10.14801/kiitr.2014.12.1.25

이용수

DBpia Top 5%동일한 주제분류 기준으로
최근 2년간 이용수 순으로 정렬했을 때
해당 논문이 위치하는 상위 비율을 의미합니다.
표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
원격 플라즈마 화학 기상 증착(RPECVD)법을 이용하여 실리콘 및 석영 기판상에 실리콘 박막을 형성시키고 그 특성을 평가하였다. 실리콘 박막을 형성시키기 위하여 소스 물질로서 아미노 실란 전구체 Diisoprophyla minosilane(DIPAS)를 사용하였다. 아미노 실란은 구조적 변수의 넓은 범위를 제공하며, 안전, 화학 반응성, 및 조작성 등이 실용적인 관점에서 알콕시 실란 또는 염화 실란보다 더 바람직 할 수 있다. 500~700℃의 범위에서 증착된 실리콘 박막의 증착 속도는 약 0.8~13nm/min.이었다. EDX 분석을 통하여 증착된 실리콘 박막 내에는 실리콘이외의 다른 성분은 관찰되지 않음을 확인하였다. 500~700℃의 범위에서 증착 된 석영기판위의 실리콘 결정구조는 비정질 상태였으며, 증착된 이 비정질 실리콘 박막의 전기 전도도는 500kΩ/sq이상이었다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 실험 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
References

참고문헌 (16)

참고문헌 신청

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2015-560-001165511