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- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 1 - 5 (5page)
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In order to apply sub-resolution assist feature (SRAF) in extreme ultraviolet lithography, the maximum non-printing SRAF width and lithography process margin needs to be improved. Through simulation, we confirmed that the maximum SRAF width of 6% attenuated phase shift mask (PSM) is large compared to conventional binary intensity mask. The increase in SRAF width is due to dark region's reflectivity of PSM which consequently improves the process window. Furthermore, the critical dimension error caused by variation of SRAF width and center position is reduced by lower change in diffraction amplitude. Therefore, we speculate that the margin of SRAF application will be improved by using PSM.
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R. -H. Kim / 2016 / Application of EUV resolution enhancement techniques (RET) to optimize and extend single exposure bi-directional patterning for 7nm and beyond logic designs / Proc. of SPIE 9776:1~10
F. Jiang / 2016 / EUV implementation of assist features in contact patterns / Proc. of SPIE 9776:1~11
J. Garofalo / 1993 / Mask assisted off-axis illumination technique for random logic / Journal of Vacuum Science & Technology B 11(6):2651~2658
F. Jiang / 2015 / Implementation of Assist Features in EUV Lithography / Proc. of SPIE 9422:1~10
M. Burkhardt / 2014 / Clear Sub-Resolution Assist Features for EUV / Proc. of SPIE 9048:1~7
F. Jiang / 2016 / EUV implementation of assist features in contact patterns / Proc. of SPIE 9776:1~11
J. Garofalo / 1993 / Mask assisted off-axis illumination technique for random logic / Journal of Vacuum Science & Technology B 11(6):2651~2658
F. Jiang / 2015 / Implementation of Assist Features in EUV Lithography / Proc. of SPIE 9422:1~10
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