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저자정보
장용주 (한양대학교 공과대학 나노반도체공학과) 김정식 (한양대학교 공과대학 나노반도체공학과) 홍성철 (한양대학교 공과대학 신소재공학과) 조한구 (한양대학교 나노과학기술연구소) 안진호 (한양대학교 공과대학 나노반도체공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제14권 제3호
발행연도
2015.1
수록면
1 - 5 (5page)

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In photolithography process, resolution enhancement techniques such as optical proximity correction (OPC) and phase shift mask (PSM) have been applied to improve resolution. Especially, sub-resolution assist feature (SRAF) is one of the most important OPC to enhance image quality including depth of focus (DOF). However, imaging performance of the mask could be varied with the diffraction order amplitude changed by inserting SRAF. Therefore, in this study, we investigated the imaging properties and process margin of attenuated PSM with SRAF. Reflectivities of attenuated PSMs at 13.5 nm were 3, 6, 9% and simulation was performed by $PROLITH^{TM}$. As a result, aerial image properties and DOF as well as diffraction efficiency were improved by increasing the reflectivity of attenuated PSM. Additionally, printed critical dimension variations depending on SRAF width and space error were also reduced for attenuated PSM with high reflectivity. However, SRAF could be printed when reflectivity of attenuated PSM is high enough. In conclusion, optimization of reflectivity of attenuated PSM and SRAF to prevent side-lobe from being printed is needed to be considered.
#EUV lithography #phase shift mask #SRAF #process window #optical proximity correction

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ITRS organization, International technology roadmap for semiconductors 2013 edition: Lithography summary google schola Constancias, C. / 2006 / Phase shift mask for EUV lithography / Proc. of SPIE 6151:1~4 google schola Clifford, C. H. / 2012 / EUV OPC for the 20 nm node and beyond / Proc. of SPIE 8322:1~14 google schola Burkhardt, M. / 2014 / Clear sub-resolution assist features for EUV / Proc. of SPIE 9048:1~7 google schola Jiang, F. / 2015 / Implementation of assist features in EUV lithography / Proc. of SPIE 9422:1~10 google schola

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