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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.1
- 수록면
- 75 - 78 (4page)
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We reports improved monitoring performance of Self plasma-optical emission spectroscopy (SP-OES) by augmenting a by-pass tube to a conventional straight (or single) tube type self plasma reactor. SP-OES has been used as a tool for the monitoring of plasma chemistry indirectly in plasma process system. The benefits of SP-OES are low cost and easy installation, but some semiconductor industries who adopted commercialized SP-OES product experiencing less sensitivity and slow sensor response. OH out-gas chemistry monitoring was performed to have a direct comparison of a conventional single type tube and a by-pass type tube, and fluid dynamic simulation on the improved hardware design was also followed. It is observed faster pumping out of OH from the chamber in the by-pass type SP-OES.
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Y. Kasashima / 2015 / Monitoring of Inner Wall Condition in Mass-Production Plasma Etching Process Using a Load Impedance Monitoring System / Jap. J. Applied Physics 54(6):060301
J. Gu / 2014 / Endpoint Detection in Low Open Area TSV Fabrication Using Optical Emission Spectroscopy / IEEE Trans. Comp., Pack., Manufac. Tech 4(4):1251~1260
최명선 / 2014 / 좁은 간격 CCP 전원의 전극과 측면 벽 사이 플라즈마 분포 / 반도체디스플레이기술학회지 13(4):1~5
S. Kim / 2011 / Process Monitoring Device and Semiconductor Processing Apparatus Including the Same / Patent US20110222058 A1
J. Gu / 2014 / Endpoint Detection in Low Open Area TSV Fabrication Using Optical Emission Spectroscopy / IEEE Trans. Comp., Pack., Manufac. Tech 4(4):1251~1260
최명선 / 2014 / 좁은 간격 CCP 전원의 전극과 측면 벽 사이 플라즈마 분포 / 반도체디스플레이기술학회지 13(4):1~5
S. Kim / 2011 / Process Monitoring Device and Semiconductor Processing Apparatus Including the Same / Patent US20110222058 A1
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