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GaInP/GaAs 양자우물(quantum well)구조를 N-AlGaInP/p-GaInP 이종 접합구조 태양전지에 도입하여 그 특성을 조사하고 양자우물구조가 없는 태양전지와 비교하였다. 에피층은 (100)평면이 (111)A 방향으로 $6^{\circ}$ 기울어진 p-GaAs 기판 위에 성장하였다. 태양전지 박막구조는 두께 400 nm의 N-AlGaInP 층에 590 nm의 p-GaInP와 210 nm의 GaInP/GaAs 양자 우물 구조(10 nm GaInP/5 nm GaAs의 14겹 구조)가 도입된 양자우물 태양전지 구조와 800 nm의 p-GaInP의 단일이종접합 구조로 이루어진다. 측정결과 $1{\times}1mm^2$의 태양전지에서 단락전류밀도($J_{sc}$)는 양자우물구조가 도입된 태양전지에서는 $9.61mA/cm^2$, 양자우물 구조가 없는 태양전지에서는 $7.06mA/cm^2$가 각각 측정되었다. 이차이온질량 분석법(SIMS)과 외부양자효율(external quantum efficiency) 측정을 통하여 단락전류 증가에 의한 효율증가가 흡수 스펙트럼의 확대가 아닌 양자우물에 의한 carrier 재결합의 억제에 의한 효과임을 확인하였다.
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R. M. France / 2015 / Quadruple-junction inverted metamorphic concentrator devices / IEEE J. Photovolt 5(1):432~437
정연길 / 2015 / 3-5족 적층형과 CuInGa(S,Se)2 및 Cu2ZnSn(S,Se)4 화합물반도체 박막태양전지 / 공업화학 26(5):526~532
M. Mazzer / 2006 / Progress in quantum well solar cells / Thin Solid Films 511:76~83
K. A. Sablon / 2011 / Strong enhancement of solar cell efficiency due to quantum dots with built-in charge / Nano Lett 11(6):2311~2317
I. E. Hashem / 2016 / InGaP-based quantum well solar cells: Growth, structural design, and photovoltaic properties / J. Appl. Phys 119(9)
정연길 / 2015 / 3-5족 적층형과 CuInGa(S,Se)2 및 Cu2ZnSn(S,Se)4 화합물반도체 박막태양전지 / 공업화학 26(5):526~532
M. Mazzer / 2006 / Progress in quantum well solar cells / Thin Solid Films 511:76~83
K. A. Sablon / 2011 / Strong enhancement of solar cell efficiency due to quantum dots with built-in charge / Nano Lett 11(6):2311~2317
I. E. Hashem / 2016 / InGaP-based quantum well solar cells: Growth, structural design, and photovoltaic properties / J. Appl. Phys 119(9)
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