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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2000.1
- 수록면
- 25 - 28 (4page)
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We propose a new in-situ fluorine passivation of poly-Si TFTs using excimer laser annealing to reduce the trap state density and improve reliability significantly. To investigate the effect of an in-situ fluorine passivation, we have fabricated fluorine-passivated p-channel poly-Si TFTs and examined their electrical characteristics and stability. A new in-situ fluorine passivation brought about an improvement in electrical characteristic. Such improvement is due to the formation of stronger Si-F bonds than Si-H bonds in poly-Si channel and $SiO_2$/Poly-Si interface.
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