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논문 기본 정보

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저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第44卷 第4號
발행연도
2007.4
수록면
80 - 85 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2007

Metamorphic HEMT에서 low-k Benzocyclobutene(BCB)를 이용한 표면 passivation 비교 연구
백용현 ,  오정훈 ,  한민 외 4명 전자공학회논문지-SD 2007.04 학술저널

2006

Metamorphic HEMT에서 low–k Benzocyclobutene (BCB)를 이용한 표면 passivation 비교 연구
백용현 ,  오정훈 ,  한민 외 4명 대한전자공학회 학술대회 2006.06 학술대회자료

초록· 키워드

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Passivation 기술은 소자를 외부 환경의 영향으로부터 보호할 수 있고, 소자 성능의 감소를 예방할 수 있기 때문에 능동 소자 제작에 있어서 매우 중요하다. 본 논문에서 passivation 물질로 낮은 유전 상수를 갖는 benzocyclobutene (BCB)과 전통적인 passivation 물질인 Si3N4를 이용하여 GaAs를 기반으로 하는 0.1 ㎛ Г-gate InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistors (MHEMTs)를 제작하였다. 제작된 MHEMT의 특성은 passivation 전과 후로 구분하여 비교하였다. Passivation후 BCB와 Si3N4를 이용한 경우 모두에서 passivation 이전에 비해 저하된 DC 및 RF 특성을 나타내었으나, BCB를 이용하여 passivation을 한 소자들이 전통적인 passivation 물질인 Si3N4를 이용한 소자들에 비해서 상대적으로 낮은 특성 저하를 DC와 RF에서 함께 나타내었다.
#0.1㎛ Г-gate MHEMT #passivation #BCB

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자의 구조와 공정 순서
Ⅲ. 측정 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (5)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - / 1996 / High performance, 0.1 ㎛ InAlAs/InGaAs high electron mobility transistors on GaAs 17 : 328 ~ 330 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - / 1999 / Metamorphic In0.4Al0.6As/In0.4Ga0.6As HEMTs on GaAs substrate 20 : 123 ~ 125 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - / 2002 / DC and Microwave Characteristics of 0.2 ㎛ T-Gate Double-Doped Metamorphic InAlAs/ InGaAs/GaAs HEMTs Recessed with Succinic Acid/H2O2 41 : 528 ~ 532 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - / 2000 / The Effect of Surface Passivation on the Microwave Characteristics of Undoped AlGaN/GaN HEMT's 21 : 268 ~ 270 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - / 2001 / Low-k BCB Passivated Al0.5Ga0.5As/ In0.15Ga0.85As Enhancement-Mode pHEMTs : 269 ~ 272 google schola

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