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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
- 발행연도
- 2003.1
- 수록면
- 656 - 660 (5page)
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We studied the crystallization behavior of LP-CVD a-Si film using UV pulsed laser. With increase in the shot number of irradiation by fixing its energy density, poly-Si film having a large grain size of $0.5 {\mu}m$ was obtained. By analyzing the crystallized Si films using optical analysis such as Raman spectroscopy or AFM technique etc., conspicuous correlation between the grain size and the resultant film properties such as the stress or the roughness has been found. With the increase in the energy density or the shots number of laser, remarkable grain growth occurred following to the roughness formation corresponding to the increase in the tensile stress.
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